中微公司(688012)：刻蚀设备领军者 技术新品不断突破
国产化推动支持下，大陆晶圆产能快速扩张
根据SEMI数据，2000 年，美国和日本主导着全球半导体产能的半壁江山，中国大陆的产能仅占2%。到了2010年，半导体产能开始向亚洲转移，韩国和中国台湾两者相加的产能达到了全球产能的35%，而此时中国大陆的产能提升至9%。2020 年，随着中国大陆产线的建设以及原有产线的扩产，中国大陆的产能占比提升至17%。展望 2026 年，中国大陆12寸晶圆产能将占到25%的比重，跃升为全球12寸晶圆产能第一，主要驱动力来自于产线国产化和成熟节点投资。
随着制程节点不断进步，晶体管结构愈发复杂，刻蚀重要性愈发凸显随着芯片制造中线宽的进一步缩小和先进工艺的广泛采用，对沉积与刻蚀技术的精确性和控制能力提出了更高的要求。此外，随着3D NAND层数变高，刻蚀需要超高深宽比控制，推动刻蚀设备需求大幅增长，ICP和CCP设备凭借精准的深孔加工能力，成为3D NAND制造的核心工具。随着层数继续提升，刻蚀技术将持续在高存储密度制造中发挥关键作用。
持续的高研发投入下，公司不断取得产品突破公司常年保持高研发投入，研发费用率稳定在10%以上水平。与海外设备商应用材料，泛林半导体相比，公司2020年起研发费率便一直高于海外。公司不断突破性能和产品效率，拓宽产品线，近年来先后推出了双反应台刻蚀，LPCVD等设备。2024年5月，公司发布Preforma UniflexHW和AW设备，专注于高深宽比金属钨沉积，采用自主生长梯度抑制工艺和优化热场系统，实现复杂结构的精确填充和高生产效率。
投资建议
我们预计 2024-2026 年公司归母净利润分别为16、25、34亿元，对应的 EPS 分别为2.6、4.0、5.5元，对应 2025 年4 月10 日收盘价PE 分别为72x、47x、34x。首次覆盖给予“买入”评级。
风险提示
扩产不及预期、研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。